サファイア単結晶製造装置、及びサファイア単結晶の製造方法

Sapphire single crystal production device and sapphire single crystal production method

Abstract

【課題】温度勾配凝固法による単結晶育成後、室温までの冷却時におけるクラック発生を抑制できるサファイア単結晶製造装置の提供。 【解決手段】坩堝41内の底部側に種結晶44を設置し、坩堝41の底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配の下で、原料45を溶融し、種結晶44側から原料融液を固化させることで単結晶育成を行うサファイア単結晶製造装置であって、底部から上部に向かって内径が大きくなるテーパー形状の側壁411を有する坩堝41と、坩堝41内で育成結晶46を支持する育成結晶支持部421、及び育成結晶支持部421と接続され育成結晶支持部421を坩堝41内で上下方向に移動できる結晶移動軸422を含む育成結晶移動機構42と、を備え、坩堝41の底部412には底部開口部412Aが設けられており、結晶移動軸422は底部開口部412Aを通り、少なくとも一部が坩堝41内に収容されるサファイア単結晶製造装置。 【選択図】図4
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sapphire single crystal production device capable of preventing crack generation at cooling time to ambient temperature, after growing a single crystal by a temperature gradient coagulation method.SOLUTION: In the sapphire single crystal production method for growing the single crystal by setting a single crystal 44 at a bottom side in a crucible 41, melting a raw material 45 under temperature gradient of rising temperature from a bottom to a top of the crucible 41, and solidifying the raw material melt, from a single crystal 44 side, includes: the crucible 41 having a side wall 411 of a taper form with an inner diameter getting larger from the bottom to the top; a growing crystal support section 421 for supporting a growing crystal 46 in the crucible 41; a growing crystal transfer mechanism 42 connected to the growing crystal support section 421, including a crystal transfer axis 422 which vertically moves the growing crystal support section 421 in the crucible 41. A bottom opening 412A is provided in the bottom section 412 of the crucible 41, and the crystal transfer axis 422 passes through the bottom opening 412A, with at least a part of that housed in the crucible 41 in the sapphire single crystal production device.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】温度勾配凝固法による単結晶育成後、室温までの冷却時におけるクラック発生を抑制できるサファイア単結晶製造装置の提供。【解決手段】坩堝41内の底部側に種結晶44を設置し、坩堝41の底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配の下で、原料45を溶融し、種結晶44側から原料融液を固化させることで単結晶育成を行うサファイア単結晶製造装置であって、底部から上部に向かって内径が大きくなるテーパー形状の側壁411を有する坩堝41と、坩堝41内で育成結晶46を支持する育成結晶支持部421、及び育成結晶支持部421と接続され育成結晶支持部421を坩堝41内で上下方向に移動できる結晶移動軸422を含む育成結晶移動機構42と、を備え、坩堝41の底部412には底部開口部412Aが設けられており、結晶移動軸422は底部開口部412Aを通り、少なくとも一部が坩堝41内に収容されるサファイア単結晶製造装置。【選択図】図4

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