半導体発光装置

Semiconductor light emitting device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device for emitting light of plural wavelengths while reducing or increasing the directivity angle of the light.SOLUTION: A semiconductor light emitting device comprises a support substrate having light reflectivity, a wavelength conversion layer which is disposed on the support substrate and contains semiconductor nano particles in which a quantum size effect develops, an optical semiconductor laminate which is disposed on the wavelength conversion layer and has a light emission property, and a photonic crystal layer which is disposed on the optical semiconductor laminate and has a first part having a first refraction index and a second part having a second refraction index different from the first refraction index, the first part and the second part being arranged two-dimensionally periodically.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】複数の波長の光を狭指向角化ないし広指向角化して放出する半導体発光装置を提供する。【解決手段】当該半導体発光装置は、光反射性を備える支持基板と、前記支持基板上に配置され、量子サイズ効果が発現する半導体ナノ粒子を含む波長変換層と、前記波長変換層上に配置され、発光性を備える光半導体積層と、前記光半導体積層上に配置されるフォトニック結晶層であって、第1の屈折率を有する第1の部分と、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する第2の部分と、が2次元周期的に配置されているフォトニック結晶層と、を具備する。【選択図】 図5
【課題】 複数の波長の光を狭指向角化ないし広指向角化して放出する半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 当該半導体発光装置は、光反射性を備える支持基板と、前記支持基板上に配置され、量子サイズ効果が発現する半導体ナノ粒子を含む波長変換層と、前記波長変換層上に配置され、発光性を備える光半導体積層と、前記光半導体積層上に配置されるフォトニック結晶層であって、第1の屈折率を有する第1の部分と、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する第2の部分と、が2次元周期的に配置されているフォトニック結晶層と、を具備する。 【選択図】 図5

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